文献
J-GLOBAL ID:200902125148989078
整理番号:93A0491076
Growth of 4-inch diameter pure GaAs by arsenic-pressure-controlled Czochralski method.
著者 (5件):
ATAMI T
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
,
SHIRATA K
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
,
SASSA K
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
,
TOMIZAWA K
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
129
ページ:
25-30
発行年:
1993年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)