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文献
J-GLOBAL ID：200902125189277155
整理番号：03A0083995
プラズマ支援分子ビームエピタクシーにおけるGaN膜の質に成長中断中のSi照射が及ぼす影響
Roles of Si Irradiation during the Growth Interruption on GaN Film Qualities in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
SHEN X-Q
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
CHO H-K
(Dong-A Univ., Busan, KOR)
,
IDE T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 12B ページ： L1428-L1430 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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