文献
J-GLOBAL ID:200902125319713726
整理番号:95A0907701
SiGe/Siヘテロ構造の光ルミネセンスへの急熱焼鈍の効果
Effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence properties of SiGe/Si heterostructures.
著者 (6件):
SOUIFI A
(INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BENYATTOU T
(INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
GUILLOT G
(INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BREMOND G
(INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
DUTARTRE D
(Centre National d’Etude des Telecommunications, Meylan, FRA)
,
WARREN P
(Centre National d’Etude des Telecommunications, Meylan, FRA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
78
号:
6
ページ:
4039-4045
発行年:
1995年09月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)