文献
J-GLOBAL ID:200902125328073977
整理番号:93A0984660
Si(111)表面上に堆積したひ素の面内構造のすれすれ入射X線定在波法による研究
In-plane structure of arsenic deposited on the Si(111) surface studied with the grazing-angle x-ray standing-wave method.
著者 (3件):
SAKATA O
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
HASHIZUME H
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
KURASHINA H
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
48
号:
15
ページ:
11408-11411
発行年:
1993年10月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)