文献
J-GLOBAL ID:200902125329236772
整理番号:96A0862611
階層的アレイ構造を持った29ns,64MbのDRAM
A 29-ns 64-Mb DRAM with Hierarchical Array Architecture.
著者 (9件):
NAKAMURA M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
AKIBA T
(Hitachi Device Engineering Co. Ltd., Chiba, JPN)
,
KITSUKAWA G
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MORINO M
(Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
KOMATSUZAKI K
(Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
,
CHO S
(Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
,
TACHIBANA T
(Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SATO K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
31
号:
9
ページ:
1302-1307
発行年:
1996年09月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)