文献
J-GLOBAL ID:200902125407982010
整理番号:02A0580301
MOS構造の蓄積容量の解析的量子力学モデル
Analytical Quantum Mechanical Model for Accumulation Capacitance of MOS Structures.
著者 (4件):
SAITO S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TORII K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HIRATANI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONAI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
23
号:
6
ページ:
348-350
発行年:
2002年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)