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文献
J-GLOBAL ID：200902125551679631
整理番号：95A0818811
PtSiソース及びドレイン電界放出トランジスタの実験研究
Experimental investigation of a PtSi source and drain field emission transistor.
SNYDER J P
(Stanford Univ., California)
,
HELMS C R
(Stanford Univ., California)
,
NISHI Y
(Hewlett-Packard ULSI Res. Lab., California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 10 ページ： 1420-1422 発行年： 1995年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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