文献
J-GLOBAL ID:200902125557351956
整理番号:97A0852692
高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
Fabrication of silicon dioxide thin film with high purity ozone and its characterization by XPS and SHG.
著者 (5件):
一村信吾
(電総研)
,
中村健
(電総研)
,
黒河明
(電総研)
,
野中秀彦
(電総研)
,
村上寛
(電総研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
97
号:
220(CPM97 52-60)
ページ:
13-18
発行年:
1997年08月04日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)