文献
J-GLOBAL ID:200902125719497917
整理番号:01A0701837
Gaフラックス法によるMnSiとMnSi2-x単結晶の成長とその性質
MnSi and MnSi2-x single crystals growth by Ga flux method and properties.
著者 (8件):
OKADA S
(Kokushikan Univ., Tokyo, JPN)
,
SHISHIDO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OGAWA M
(Tokyo Inst. Polytechnics, Atsugi, JPN)
,
MATSUKAWA F
(Tokyo Inst. Polytechnics, Atsugi, JPN)
,
ISHIZAWA Y
(Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKUDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
LUNDSTROEM T
(Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
229
ページ:
532-536
発行年:
2001年07月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)