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文献
J-GLOBAL ID：200902125945507178
整理番号：96A0563591
有機金属化学気相成長法によって成長させたMgドープp型GaN中の深い準位欠陥
Deep level defects in Mg-doped, p-type GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition.
GOETZ W
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
JOHNSON N M
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
BOUR D P
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 24 ページ： 3470-3472 発行年： 1996年06月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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