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文献
J-GLOBAL ID：200902126001838640
整理番号：01A0343923
シリコンマイクロストリップセンサの放射線損傷研究
Radiation Damage Studies of Silicon Microstrip Sensors.
NAKAYAMA T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
IKEGAMI Y
(High Energy Accelerator Organization (KEK), Ibaraki, JPN)
,
IWATA Y
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
JOHANSEN L G
(Univ. Bergen, Bergen, NOR)
,
NAKANO I
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
RIEDLER P
(CERN, Geneva, CHE)
,
STAPNES S
(Univ. Oslo, Oslo, NOR)
,
TAKASHIMA R
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
YAMAMURA K
(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 47 号： 6,Pt.1 ページ： 1885-1891 発行年： 2000年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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