文献
J-GLOBAL ID:200902126386569768
整理番号:00A0835559
III族窒化物エピタクシーにおけるアンチサーファクタント 量子ドット形成と転位の終端
Anti-Surfactant in III-Nitride Epitaxy. Quantum Dot Formation and Dislocation Termination.
著者 (3件):
TANAKA S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKEUCHI M
(Inst. Physical and Chemical Res. RIKEN, Wako, JPN)
,
AOYAGI Y
(Inst. Physical and Chemical Res. RIKEN, Wako, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
8B
ページ:
L831-L834
発行年:
2000年08月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)