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文献
J-GLOBAL ID:200902126440070804   整理番号:93A0728312

放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察 高エネルギーX線・高次反射の利用

Observation of microdefects in silicon crystals by synchrotron radiation topography.
著者 (4件):
飯田敏
(富山大 理)
杉田吉充
(富山大 理)
竹野博
(信越半導体)
阿部孝夫
(信越半導体)

資料名:
応用物理  (JSAP International)

巻: 62  号:ページ: 818-821  発行年: 1993年08月 
JST資料番号: F0252A  ISSN: 0369-8009  CODEN: OYBSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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