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文献
J-GLOBAL ID：200902126487570112
整理番号：93A0196078
Si(100)におけるイオンビーム誘起再結晶の低速陽電子消滅とRutherford後方散乱/チャネリングによる研究
Ion-Beam-Induced Recrystallization in Si(100) Studied with Slow Positron Annihilation and Rutherford Backscattering and Channeling.
HAYASHI N
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI R
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI N
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TANIGAWA S
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
MIKADO T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 70 号： 1 ページ： 45-48 発行年： 1993年01月04日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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