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文献
J-GLOBAL ID：200902126489448314
整理番号：03A0115860
バルク成長分科会特集 結晶成長の科学と技術 昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察
SiC Bulk Single Crystal Growth by Sublimation Method and Its In-situ Observation.
西沢伸一
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ)
,
山口博隆
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ)
,
加藤智久
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ)
,
小柳直樹
(新機能素子研究開協 先進パワーデバイス研)
,
木藤泰男
(新機能素子研究開協 先進パワーデバイス研)
,
荒井和雄
(産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研セ)
資料名：
日本結晶成長学会誌
(Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 29 号： 5 ページ： 431-438 発行年： 2002年12月25日
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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