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J-GLOBAL ID：200902126566735518 整理番号：02A0186758

Precipitation-enhanced diffusion of nickel in dislocation-free silicon studied by in-diffusion and annealing processes.

著者 (3件)：

TANAKA S

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

KITAGAWA H

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

IKARI T

(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)

資料名：

Physica B. Condensed Matter (Physica B. Condensed Matter)

巻： 308/310 ページ： 427-430 発行年： 2001年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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