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文献
J-GLOBAL ID：200902126617894926
整理番号：02A0734219
GaAs半導体レーザを用いたXeの飽和吸収分光法
Saturated absorption spectroscopy of Xe using a GaAs semiconductor laser.
SUZUKI M
(Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN)
,
KATOH K
(Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN)
,
NISHIMIYA N
(Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN)
資料名：
Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy
(Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy)
巻： 58A 号： 11 ページ： 2519-2531 発行年： 2002年09月
JST資料番号： E0128B ISSN： 1386-1425 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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