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文献
J-GLOBAL ID：200902126769316669
整理番号：97A0872454
欠陥密度の低いSiC-SiO2界面のプラズマ形成
Plasma-assisted formation of low defect density SiC-SiO2 interfaces.
GOELZ A
(RWTH-Aachen, Aachen, DEU)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
KOH K
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
WOLFE D
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
NIIMI H
(North Carolina State Univ., North Carolina)
,
KURZ H
(RWTH-Aachen, Aachen, DEU)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 15 号： 4 ページ： 1097-1104 発行年： 1997年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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