文献
J-GLOBAL ID:200902127154120841
整理番号:02A0580299
金属およびシリコンゲート仕事関数におよぼす高κゲート誘電体材料の効果
Effects of High-κ Gate Dielectric Materials on Metal and Silicon Gate Workfunctions.
著者 (4件):
YEO Y-C
(Univ. California, CA, USA)
,
RANADE P
(Univ. California, CA, USA)
,
KING T-J
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
23
号:
6
ページ:
342-344
発行年:
2002年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)