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文献
J-GLOBAL ID：200902127256360600
整理番号：00A0596712
多結晶オリゴチオフェン薄膜トランジスタにおける正孔移動度の温度とゲート電圧への依存性
Temperature and gate voltage dependence of hole mobility in polycrystalline oligothiophene thin film transistors.
HOROWITZ G
(Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)
,
HAJLAOUI M E
(Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)
,
HAJLAOUI R
(Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 9,Pt.1 ページ： 4456-4463 発行年： 2000年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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