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文献
J-GLOBAL ID：200902127319846761
整理番号：98A0852203
シリコンのエッチング条件の最適化 193nmリソグラフィー用のメタクリル樹脂系二層レジストの含有
Optimization of Etch Conditions for a Silicon-Containing Methacrylate Based Bilayer Resist for 193nm Lithography.
STEINHAEUSLER T
(Olin Microelectronic Materials, RI)
,
GABOR A H
(Olin Microelectronic Materials, RI)
,
WHITE D
(Olin Microelectronic Materials, RI)
,
BLAKENEY A J
(Olin Microelectronic Materials, RI)
,
STARK D R
(SEMATECH, TX)
,
MILLER D A
(SEMATECH, TX)
,
RICH G K
(SEMATECH, TX)
,
GRAFFENBERG V L
(SEMATECH, TX)
,
DEAN K R
(SEMATECH, TX)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 3333 号： Pt.1 ページ： 122-131 発行年： 1998年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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