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文献
J-GLOBAL ID：200902127332248113
整理番号：97A0627756
高電圧のP+ポリシリコン/N-6H-SiCヘテロ接合ダイオード
High voltage P+ polysilicon/N- 6H-SiC heterojunction diodes.
SHENOY P M
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 33 号： 12 ページ： 1086-1087 発行年： 1997年06月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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