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文献
J-GLOBAL ID：200902127386686957
整理番号：96A0213584
プラズマ支援有機金属化学蒸着により成長させた高抵抗CHドープGaN
Highly resistive CH-doped GaN grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition.
SATO M
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 7 ページ： 935-937 発行年： 1996年02月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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