文献
J-GLOBAL ID:200902127400248968
整理番号:99A0570104
STIプロセス技術を用いた130mm2 256Mbit NAND型Flash EEPROM
A 130mm2 256Mbit NAND Flash with Shallow Trench Isolation Technology.
著者 (9件):
細野浩司
(東芝)
,
今宮賢一
(東芝)
,
杉浦義久
(東芝)
,
中村寛
(東芝)
,
姫野敏彦
(東芝)
,
竹内健
(東芝)
,
池橋民雄
(東芝)
,
神田和重
(東芝)
,
作井康司
(東芝)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
99
号:
94(ICD99 27-36)
ページ:
17-24
発行年:
1999年05月28日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)