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文献
J-GLOBAL ID：200902127444042216
整理番号：01A0433720
メタンのdcグロー放電による蒸着過程におけるSi上の炭素核形成及び成長のその場分光偏光解析法による評価
In situ spectroscopic ellipsometry of carbon nucleation and growth on Si in a deposition process by DC glow discharge of methane.
MORITANI A
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KITAHARA K
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KITAMURA T
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KATAYAMA H
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KANAYAMA N
(Inst. Industrial Sci. and Technol., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI M
(J.A. Woollam Japan Co., Tokyo, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 386 号： 2 ページ： 137-141 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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