文献
J-GLOBAL ID:200902127650655801
整理番号:94A0125581
VLSI特集 フラッシュメモリ用酸窒化トンネル酸化膜
VLSI Special Feature. Oxynitrided Tunnel-oxide Film for Flash Memory.
著者 (3件):
UCHIYAMA A
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
FUKUDA H
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONO T
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Oki Technical Review
(Oki Technical Review)
巻:
59
号:
148
ページ:
51-54
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
X0491A
ISSN:
0912-5566
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)