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文献
J-GLOBAL ID：200902127720347417
整理番号：01A0781019
拡散バリアとしてTaNを使ったGaAs MESFETの裏面銅メタライゼーション
Backside Copper Metallization of GaAs MESFETs Using TaN as the Diffusion Barrier.
CHEN C-Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG E Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG L
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN S-H
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 6 ページ： 1033-1036 発行年： 2001年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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