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文献
J-GLOBAL ID：200902127725330326
整理番号：95A0192276
逆位相ダイレクトボンディングとGaAs基板上へのInPベース1.55μm波長レーザの作製への応用
Anti-phase direct bonding and its application to the fabrication of InP-based 1.55μm wavelength lasers on GaAs substrates.
OKUNO Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
AOKI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANIWATARI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KONDOW M
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 4 ページ： 451-453 発行年： 1995年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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