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文献
J-GLOBAL ID：200902127774144384
整理番号：00A0479625
高密度,低電圧動作フラッシュメモリに適する新しいゲートオフセットNANDセル(GOC-NAND)技術
A Novel Gate-Offset NAND Cell(GOC-NAND) Technology Suitable for High-Density and Low-Voltage-Operation Flash Memories.
SATOH S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NAKAMURA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SHIMIZU K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKEUCHI K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
IIZUKA H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
ARITOME S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SHIROTA R
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1999 ページ： 271-274 発行年： 1999年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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