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文献
J-GLOBAL ID：200902127781898343
整理番号：01A0016999
水素化物気相エピタクシーで作製したGaN鋳型上に分子ビームエピタクシーで成長させた高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造
High-mobility AIGaNlGaN heterostructures grown by molecutar-beam epitaxy on GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy.
MANFRA M J
(Bell Lab., New Jersey)
,
PFEIFFER L N
(Bell Lab., New Jersey)
,
WEST K W
(Bell Lab., New Jersey)
,
STORMER H L
(Bell Lab., New Jersey)
,
BALDWIN K W
(Bell Lab., New Jersey)
,
HSU J W P
(Bell Lab., New Jersey)
,
LANG D V
(Bell Lab., New Jersey)
,
MOLNAR R J
(MIT, Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 18 ページ： 2888-2890 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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