文献
J-GLOBAL ID:200902127841689110
整理番号:93A0503792
シリコンからの電界放出の数値シミュレーション
Numerical simulation of field emission from silicon.
著者 (2件):
JENSEN K L
(Naval Research Lab., Washington, d.c.)
,
GANGULY A K
(Naval Research Lab., Washington, d.c.)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
2
ページ:
371-378
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)