文献
J-GLOBAL ID:200902127998091006
整理番号:01A0986348
Naフラックス法により合成したGaN単結晶の成長条件と結晶形態
Growth Conditions and Morphology of GaN Single Crystals Fabricated by the Na Flux Method.
著者 (5件):
AOKI M
(Tohoku Univ., Sendai-shi)
,
YAMANE H
(Tohoku Univ., Sendai-shi)
,
SHIMADA M
(Tohoku Univ., Sendai-shi)
,
SARAYAMA S
(Ricoh Co., Ltd., Natori-shi)
,
DISALVO F J
(Cornell Univ., New York, USA)
資料名:
日本セラミックス協会学術論文誌
(Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻:
109
号:
1274
ページ:
858-862
発行年:
2001年10月01日
JST資料番号:
F0382A
ISSN:
0914-5400
CODEN:
JCSJEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)