文献
J-GLOBAL ID:200902128086271271
整理番号:93A0643046
Doping of InGaP epitaxial layers grown by low pressure metal-organic chemical vapor deposition.
著者 (5件):
WU C C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN K C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHAN S H
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
FENG M S
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG C Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻:
19
号:
3
ページ:
234-239
発行年:
1993年06月20日
JST資料番号:
T0553A
ISSN:
0921-5107
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)