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文献
J-GLOBAL ID：200902128169991969
整理番号：95A0125281
AlGaAs/GaAs/InGaAs歪量子井戸レーザのしきい電流密度に対する転位の影響
Influence of Dislocations on the Threshold Current Density of AlGaAs/GaAs/InGaAs Strained Quantum-Well Lasers.
ITO H
(NTT LSI Lab., Kanagawa)
,
HARRIS J S JR
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 33 号： 12A ページ： 6516-6517 発行年： 1994年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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