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文献
J-GLOBAL ID：200902128224200704
整理番号：02A0397797
SiCパワーMOSFETの現状と展望
Status and Prospects for SiC Power MOSFETs.
COOPER J A JR
(Purdue Univ., IN, USA)
,
MELLOCH M R
(Purdue Univ., IN, USA)
,
SINGH R
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
AGARWAL A
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J W
(Cree Res. Inc., NC, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49 号： 4 ページ： 658-664 発行年： 2002年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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