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文献
J-GLOBAL ID:200902128294675793   整理番号:96A0228132

InGaNに基づいた多重量子井戸構造レーザダイオード

InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes.
著者 (8件):
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 35  号: 1B  ページ: L74-L76  発行年: 1996年01月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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