文献
J-GLOBAL ID:200902128447147970
整理番号:93A0363598
Ge(001)2×1上におけるSi2H6の吸着の解離径路 不均一原子層エピタクシーに対する機構
Si2H6 adsorption and dissociation pathways on Ge(001)2×1: mechanisms for heterogeneous atomic layer epitaxy.
著者 (4件):
TSU R
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
LUBBEN D
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
BRAMBLETT T R
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
GREENE J E
(Univ. Illinois, IL, USA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
225
号:
1/2
ページ:
191-195
発行年:
1993年03月25日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)