文献
J-GLOBAL ID:200902128583341933
整理番号:02A0449216
Si上のGe(105)の安定性の起源 新しい構造模型と表面歪緩和
Origin of the Stability of Ge(105) on Si: A New Structure Model and Surface Strain Relaxation.
著者 (8件):
FUJIKAWA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AKIYAMA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NAGAO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKURAI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
LAGALLY M G
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HASHIMOTO T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
TERAKURA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
88
号:
17
ページ:
176101.1-176101.4
発行年:
2002年04月29日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)