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文献
J-GLOBAL ID：200902128605167479
整理番号：93A0525995
Nanometer scale local epitaxy with silicon MBE.
HAMMERL E
(Univ. Bundeswehr, Neubiberg, DEU)
,
WITTMANN F
(Univ. Bundeswehr, Neubiberg, DEU)
,
EISELE I
(Univ. Bundeswehr, Neubiberg, DEU)
,
HEINZEL T
(Ludwig-Maximilian-Univ., Muenchen, DEU)
,
KUEHN S
(Ludwig-Maximilian-Univ., Muenchen, DEU)
,
LORENZ H
(Ludwig-Maximilian-Univ., Muenchen, DEU)
,
KOTTHAUS J P
(Ludwig-Maximilian-Univ., Muenchen, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 127 号： 1/4 ページ： 447-450 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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