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文献
J-GLOBAL ID：200902128673048828
整理番号：98A0527378
P-MOSFETsにおけるほう素の侵入を強く抑制する窒化した酸化物ゲート誘電体中のほう素の拡散
Boron Diffusion in Nitrided-Oxide Gate Dielectrics Leading to High Suppression of Boron Penetration in P-MOSFETs.
AOYAMA T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OHKUBO S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TASHIRO H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TADA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUZUKI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
HORIUCHI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 3B ページ： 1244-1250 発行年： 1998年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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