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文献
J-GLOBAL ID：200902128679581544
整理番号：97A0806608
深準位過渡分光法によってモニタした炭化けい素中の深い欠陥中心
Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy.
DALIBOR T
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
CHOYKE W J
(Univ. Pittsburgh, PA, USA)
,
SCHOENER A
(Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE)
,
NORDELL N
(Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 162 号： 1 ページ： 199-225 発行年： 1997年07月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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