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文献
J-GLOBAL ID：200902128895400937
整理番号：94A0113709
X-ray topographic study of the formation of misfit dislocations at the GaAs/Ge(001) interface.
BURLE N
(Univ. Aix-Marseille III, Marseille, FRA)
,
PICHAUD B
(Univ. Aix-Marseille III, Marseille, FRA)
,
GUELTON N
(INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
,
ST-JACQUES R G
(INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 134 ページ： 573-576 発行年： 1993年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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