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文献
J-GLOBAL ID：200902128982561734
整理番号：01A0700085
サブ100nm絶縁体上歪シリコンMOSFETのための高Ge組成比を有する超薄緩和SiGe膜バッファ層の新しい作製法
A Novel Fabrication Technique of Ultrathin and Relaxed SiGe Buffer Layers with High Ge Fraction for Sub-100nm Strained Silicon-on-Insulator MOSFETs.
TEZUKA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIZUNO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 4B ページ： 2866-2874 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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