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文献
J-GLOBAL ID：200902128985719568
整理番号：01A0670350
GaAs量子井戸でのサブバンド間吸収線幅に及ぼす界面粗さおよびフォノン散乱の影響
Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well.
UNUMA T
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
TAKAHASHI T
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
NODA T
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
YOSHITA M
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
SAKAKI H
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
BABA M
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
AKIYAMA H
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 22 ページ： 3448-3450 発行年： 2001年05月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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