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文献
J-GLOBAL ID：200902128995571429
整理番号：00A0098873
電力半導体デバイスの電力損失と接合温度の解析
Power Loss and Junction Temperature Analysis of Power Semiconductor Devices.
XU D
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
LU H
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
HUANG L
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
AZUMA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KIMATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
UCHIDA R
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Conference Record of the IEEE Industry Applications Conference
(Conference Record of the IEEE Industry Applications Conference)
巻： 1999 号： Vol.1 ページ： 729-734 発行年： 1999年
JST資料番号： A0713B ISSN： 0197-2618 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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