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文献
J-GLOBAL ID：200902129028227595
整理番号：01A0686760
高い窒素組成をもつ窒化炭素薄膜の内殻準位と価電子帯特性
Core-level and valence-band characteristics of carbon nitride films with high nitrogen content.
ZHAO J P
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
,
CHEN Z Y
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
,
YANO T
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
,
OOIE T
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
,
YONEDA M
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
,
SAKAKIBARA J
(Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 73 号： 1 ページ： 97-101 発行年： 2001年07月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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