文献
J-GLOBAL ID:200902129213656346
整理番号:94A0298793
Silicon chemical vapor deposition from Si2Cl6 and Si3Cl8.
著者 (4件):
NUMATA M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KANAMORI M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SUGIURA M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
FUWA A
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
1st International Conference on Processing Materials for Properties, 1993
(1st International Conference on Processing Materials for Properties, 1993)
ページ:
1249-1252
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940241
ISBN:
0-87339-256-6
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)