文献
J-GLOBAL ID:200902129236774656
整理番号:02A0600974
硫黄イオン注入ホモエピタキシャルダイヤモンド膜からの電子電界放出
Electron Field Emission from Sulfur Ion Implanted Homoepitaxial Diamond Films.
著者 (5件):
KATOH S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIKUCHI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MARUYAMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KOBAYASHI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANAYA M
(Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
41
号:
6A
ページ:
3924-3925
発行年:
2002年06月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)