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文献
J-GLOBAL ID：200902129357867732
整理番号：00A0519939
空格子点機構と格子間機構の対拡散模型に基づくSi中のP拡散の有効拡散係数と制御過程
Effective Diffusion Coefficient and Controlling Process of P Diffusion in Si Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms.
YOSHIDA M
(Yoshida Semiconductor Lab., Fukuoka, JPN)
,
MOROOKA M
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
TAKAHASHI M
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
TOMOKAGE H
(Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 5A ページ： 2483-2491 発行年： 2000年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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