前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902129669916021
整理番号：99A0610248
MBE成長したGaAs/AlGaAs単一へテロ接合の低温電子物性のヒ素原子種に対する依存性
Dependencies of low-temperature electronic properties of MBE-grown GaAs/AlGaAs single heterojunctions upon arsenic species.
YAMADA S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
,
OKAYASU J
(Advantest Res. Inst., Ishikawa, JPN)
,
GOZU S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
,
HONG C U
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
,
HORI H
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 201/202 ページ： 800-804 発行年： 1999年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。