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文献
J-GLOBAL ID:200902129669916021   整理番号:99A0610248

MBE成長したGaAs/AlGaAs単一へテロ接合の低温電子物性のヒ素原子種に対する依存性

Dependencies of low-temperature electronic properties of MBE-grown GaAs/AlGaAs single heterojunctions upon arsenic species.
著者 (5件):
YAMADA S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
OKAYASU J
(Advantest Res. Inst., Ishikawa, JPN)
GOZU S
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
HONG C U
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
HORI H
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 201/202  ページ: 800-804  発行年: 1999年05月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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